MOSFET供不应求，价格呈上涨趋势
厂商方案推荐：2010中国（成都）电子展9.7-9.9,展示面向工业应用和军工的电子技术解决方案 |
相关文章
英飞凌Q2业绩劲升，携手飞兆推动MOSFET封装标准化
功率模块：可再生能源市场机遇与挑战并存？
节能趋势明显，功率半导体需求看涨
主攻、环保与封装技术，功率器件持续走俏
功率器件市场缺口扩大，厂商需提早备货
编辑推荐
国际电子商情在线小调查
蓝牙4.0创造保健安防及家庭娱乐新商机
业界首款运动补偿帧速率转换处理器，可实现平滑运动和3D功能
Q2 LED价格调查：背光报价平稳照明跌幅较大
关键器件短缺限制液晶电视LED背光增长
关键字： MOSFET IGBT 太阳能 变频器
就整体市场来看，由于MOSFET芯片的产能和封装能力皆无法满足需求，尤其是能够满足高质量要求的MOSFET封装形式（主要是TO-220和TO-3P）的产能不足，于是便造成目前市场出现供不应求的情况。欲改善目前情况，一方面需要扩产，另一方面则需要提升封测水平，预计此波调整将持续至2011年底。
影响所及，MOSFET产品的报价从今年年初以来便一直面临调涨压力。相关业者便指出，目前MOSFET市场供给面仍持续呈现吃紧态势，因此部份品项的急单也已出现调涨情况，且顺利获得客户端的正面反应，预期第三季在旺季效应的助长下，MOSFET供需仍将趋紧，产品报价甚至有进一步调涨的可能。不过，随着国内外业者均有新增产能陆续开出，因此整体出货量还是会随着产出增加而成长，预期整体供需至第四季时，供需即可望逐步获得舒缓。
杭州士兰微电子器件事业部总汤学民
杭州士兰微电子器件事业部总汤学民亦发表对于MOSFET的价格的看法，他指出，由于MOSFET将继续保持高增长率，而其生产能力的扩充将会有一个过程，所以性价比较高的MOSFET产品近期不会出现大幅的降价，在一些增长特别快的领域中，个别规格的产品则可能会由于供货的紧张而出现短时的涨价现象。
至于英飞凌科技（中国）多元化电子市场事业部电源管理市场工程师胡凤平则强调，zui近一段时间市场上供货的确出现紧张的情况，不过英飞凌的产品目前仍坚持没有调涨。
英飞凌目前所生产的MOSFET可分为高压CoolMOS和低压OptiMOS两大种类，以300V电压等级为分界点。CoolMOS主要应用在太阳能，通信/服务器电源，平板电视电源，计算机适配器等。而OptiMOS的应用除了开关电源以外，还包括计算机主板，低压电机驱动以及手持设备等等。至于分立IGBT部分，则主要有600V和1200V的产品，广泛应用在太阳能，家电以及工业应用，如变频器/电焊机等场合。
率、高性价比及绿色封装为产品重点
针对国内市场对于MOSFET/IGBT组件的需求，英飞凌胡凤平表示，国内客户对能效要求已渗透到生活的各方面，而英飞凌产品包括MOSFET/IGBT都具有率、高性价比以及绿色封装等特点，因此英飞凌的MOSFET/IGBT可以协助客户轻松实现国际能源标准。再者，针对国内具体要求，英飞凌提供灵活的服务和，拥有资深的代理商管道，以及第三方和技术合作伙伴，同时英飞凌在深圳和上海皆设有市场销售以及中心。
就目前国内的MOSFET市场生态来看，消费类电子产品、电信、工控、汽车电子等市场仍被国外半导体器件品牌大厂所把持，如意法半导体、英飞凌、东芝、飞兆等。
其中，飞兆半导体电源系统总监罗钟民表示，MOSFET产品是飞兆半导体业务的重要部分，而且已为消费和工业市场提供各种电压范围（从-500V到1500V）和封装（穿孔式、SMD、PQFN和模块封装）的MOSFET产品。这些产品可用于台式计算机、服务器、LCD/PDP电视机、电子镇流器、直流马达、电池系统、汽车应用和电信基础设施等方面。飞兆半导体根据各种应用需求，分别推出SuperFET系列（600/650V）、Power Trench MOSFET（<200V）和QFET/UniFET（-500V到1000V）。
另外，在IGBT产品方面，罗钟民表示，飞兆半导体的IGBT产品通常用于感应加热、UPS、太阳能逆变器、焊机和马达控制、PDP电视，以及Vces为300V到1500V的汽车点火器等工业应用，并能够针对各种应用，提供不同的开关性能和短路性能。飞兆半导体目前已推出使用平面或沟道设计工艺的穿透型（PT） IGBT、非穿透型（NPT） IGBT、SMPS IGBT和新型场截止（FS） IGBT。
国内应用市场仍由国外大厂把持
针对国内市场，飞兆半导体的主推产品则为UniFET、SuperFET、Power Trench MOSFET，以及NPT Trench IGBT、场截止IGBT等。其中，UniFET可为普通电源、数字电视机和电子照明市场提供高成本效益的高压MOSFET解决方案；SuperFET则是600V超级结MOSFET，具有极低的传导和开关损耗，可提高系统效率和减小体积。
Power Trench MOSFET则使用沟道工艺来增加活动单元密度，减小20V到150V电压范围之同步整流、电池系统、马达控制和DC/DC转换器等应用的A*RDS（on）和栅极电荷；至于场截止IGBT则在VCE（sat）和Eoff特性之间提供优化性能，具有高成本效益，将应用于感应加热、UPS、太阳能逆变器、焊机和马达控制等应用。
飞兆罗钟民表示，MOSFET/IGBT的交货期必需取决于市场状况，不过，一般而言，MOSFET/IGBT产品的正常交付时间为8-10周，但目前的情况是处于供不应求。
免责声明：矿库网文章内容来源于网络，为了传递信息，我们转载部分内容，尊重原作者的版权。所有转载文章仅用于学习和交流之目的，并非商业用途。如有侵权，请及时联系我们删除。感谢您的理解与支持。
